乐虎_鉴黑担保

北京乐虎_鉴黑担保材料有限公司参加SPIE报道
栏目:乐虎_鉴黑担保 发布时间:2019-03-15
北京乐虎_鉴黑担保材料有限公司参加SPIE报道

         2019年2月24号到(dao)28号,一(yi)年一(yi)度的(de)SPIE Advanced Lithography在(zai)San Jose如期举行,北京乐(le)虎_鉴(jian)黑(hei)担保材料(liao)有限(xian)公司的(de)技术人员也参加了这一(yi)业内(nei)的(de)技术盛会。

   IBM公(gong)司的(de)(de)Dario Gil博士(shi)以《The future is Quantum》的(de)(de)主题报告为大(da)会做了开场(chang)白,以量(liang)子(zi)比特为基础的(de)(de)量(liang)子(zi)计(ji)算机(ji)(ji),相比传统的(de)(de)计(ji)算机(ji)(ji)系统,具有更强的(de)(de)计(ji)算能力(li),可以用于需(xu)要大(da)量(liang)计(ji)算力(li)的(de)(de)应用场(chang)景,在(zai)(zai)化学、材(cai)料、机(ji)(ji)器学习等领域有巨大(da)的(de)(de)潜力(li)。Dario博士(shi)介绍了IBM Q System One的(de)(de)设(she)计(ji)及性(xing)能,同(tong)时提(ti)(ti)出IBM将开放IBM Q Network,为会员(yuan)提(ti)(ti)供基于量(liang)子(zi)计(ji)算机(ji)(ji)的(de)(de)云(yun)计(ji)算服务。来自ASML的(de)(de)Steven Steen 和(he)来自LAM的(de)(de)Bart van Schravendijk 合作介绍了材(cai)料、工艺及设(she)备如何共同(tong)合作来解决(jue)先(xian)进3D NAND制(zhi)程中遇到的(de)(de)挑战,这(zhei)也展示了接近物(wu)理(li)极限的(de)(de)集成电(dian)路制(zhi)造在(zai)(zai)面临越来越严峻的(de)(de)挑战时,只(zhi)有材(cai)料、工艺与(yu)设(she)备共同(tong)开发才能继续推(tui)进摩尔定(ding)律。

   材料(liao)方面(mian)的(de)(de)(de)进展包括,IM公司提出的(de)(de)(de)Multi Trigger Resist(MTR),是一种不(bu)含金属离子(zi),且只有高(gao)吸光(guang) 性的(de)(de)(de)负性光(guang)刻(ke)(ke)胶(jiao)(jiao)体(ti)(ti)系,感光(guang)速度(du)约(yue)49mJ,实现(xian)了(le)16.8nm的(de)(de)(de)CD,LWR为2.62nm。PiBond介绍了(le)基(ji)于Si的(de)(de)(de)EUV光(guang)刻(ke)(ke)胶(jiao)(jiao)及(ji)Underlayer体(ti)(ti)系,这(zhei)一体(ti)(ti)系实现(xian)了(le)18.3nm的(de)(de)(de)CD,LWR达2.8nm。Grant Wilson课题级介绍了(le)最新的(de)(de)(de)Pitch Division光(guang)刻(ke)(ke)胶(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)进展,通过(guo)Pitch Division技术可(ke)(ke)以(yi)在(zai)365nm波长(zhang)下实现(xian)更(geng)小(xiao)的(de)(de)(de)分辨率,从化学上(shang)通过(guo)设计(ji)PAG及(ji)PBG并优化其比例可(ke)(ke)以(yi)将I线光(guang)刻(ke)(ke)的(de)(de)(de)分辨率提高(gao)一倍。

   工(gong)艺(yi)(yi)(yi)上,Stanford大学的(de)(de)(de)(de)Stacey介(jie)绍了(le)自对准单分子(zi)层原子(zi)沉(chen)积(ji)(SAM-ALD)技术的(de)(de)(de)(de)发展(zhan)及如(ru)何通(tong)过(guo)材料的(de)(de)(de)(de)优(you)(you)化(hua)来改进ALD过(guo)程(cheng)中的(de)(de)(de)(de)缺陷(xian);而IBM公司(si)的(de)(de)(de)(de)Rudy则报道了(le)通(tong)过(guo)工(gong)艺(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)改进及优(you)(you)化(hua)来减小ALD过(guo)程(cheng)的(de)(de)(de)(de)缺陷(xian)的(de)(de)(de)(de)进展(zhan);DuPont公司(si)的(de)(de)(de)(de)Peter介(jie)绍了(le)Spin on doping工(gong)艺(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)应用(yong),通(tong)过(guo)Spin on工(gong)艺(yi)(yi)(yi)来优(you)(you)化(hua)ALD的(de)(de)(de)(de)工(gong)艺(yi)(yi)(yi)窗口,减少缺陷(xian)及提(ti)高(gao)对不同金属的(de)(de)(de)(de)沉(chen)积(ji)适(shi)应性。

   机(ji)理研(yan)究(jiu)上,Stochastics仍然是(shi)研(yan)究(jiu)的(de)热(re)点(dian),Chris Mack在(zai)其报告中(zhong)(zhong)指出(chu)Stochastics将是(shi)制约集(ji)成电路制造向更小(xiao)线宽(kuan)(kuan)发展的(de)关(guan)键点(dian),近50年的(de)时(shi)间里LER/LWR没有明显的(de)提高,但(dan)是(shi)随着最小(xiao)线宽(kuan)(kuan)的(de)为断减小(xiao),LER及LWR在(zai)线宽(kuan)(kuan)中(zhong)(zhong)占(zhan)的(de)比重(zhong)越(yue)来越(yue)大,其影响(xiang)也越(yue)来越(yue)大。在(zai)此基础上,越(yue)来越(yue)多的(de)研(yan)究(jiu)人员将重(zhong)点(dian)放在(zai)Stochastics对(dui)工(gong)艺的(de)影响(xiang)上,IBM及IMEC的(de)研(yan)究(jiu)人员分析(xi)了由Stochastics引起的(de)缺陷及改进方案。

   总体而言, 随着集成电(dian)路(lu)制造工艺进入7nm及(ji)5nm,EUV逐步(bu)被业界所接受(shou)。同(tong)时,掩膜板的制造及(ji)测试(shi)、光(guang)刻胶的设计(ji)与开发(fa)、EUV光(guang)刻机(ji)性能上都有了长(zhang)足(zu)的进步(bu),TSMC、Intel都宣布(bu)了EUV应(ying)用的计(ji)划,预计(ji)2019年第二季度,EUV将(jiang)正式进入量(liang)产阶(jie)段(duan)。

   关于Moore定(ding)(ding)律(lv)是否即(ji)将结束还(hai)没有定(ding)(ding)论,可以确定(ding)(ding)的(de)(de)是在推动Moore定(ding)(ding)律(lv)的(de)(de)过程中,材料(liao)、设备及(ji)工(gong)艺的(de)(de)创新将持续进(jin)行(xing),通过技术(shu)创新将Moore定(ding)(ding)律(lv)的(de)(de)精神传(chuan)承下去。

   今年还有一个特殊的事件,即光刻胶界的泰斗Grant Wilson宣布退休,会议也将整个周四下午的时段作为Special Session以纪念Grant Wilson为业界做出的贡献,Grant Wilson的工作激励了一代又一代的光刻胶人,在此作为参加过Grant Wilson课程的笔者,也感谢他对Advanced Lithography的贡献,祝他如享受光刻胶材料的开发般享受他丰富多彩的退休生活。